第六章金屬-氧化物-半導體場效應晶體管
本文檔由 10090 分享于2008-08-07 19:45
在的P型Si<111>襯底上制成一鋁柵MOS晶體管。柵氧化層厚度為120nm,表面電荷密度為 .(a) 一溝道MOS晶體管制造在的N型襯底上,柵氧化層厚度為,若,以及計算閾值電壓
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